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23 十二月 2008年 (时区GMT 00:00)

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半导体技术 ( 世界)

【IEDM】三星及日立发布采用氧化物半导体试制的TFT及内存

23.12.2008 03:36

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半导体技术

【IEDM】突破CMOS极限的低耗电FET新提案相继发表

23.12.2008 03:36

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半导体技术

【IEDM】支持WiMAX的无线通信用功率放大器，富士通研等通过混载CMOS开辟道路

23.12.2008 03:36

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半导体技术

【IEDM】IMEC开发出1100万像素微镜阵列

23.12.2008 03:36

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半导体技术

09年全球半导体销售额将首次连续2年低于上年，不确定因素在于DRAM

23.12.2008 03:36

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半导体技术

英飞凌搁置德国Saxony州的救助奇梦达方案

23.12.2008 03:36

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半导体技术

【IEDM】"进一步强化DRAM混载SoC"，NEC电子发布32nm低耗电技术

23.12.2008 03:35

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半导体技术

美国司法部SRAM反垄断调查结束，海力士宣布胜利

23.12.2008 03:35

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半导体技术

台积电发布28nm级工艺，采用HKMG的"量产开发正顺利进行"

23.12.2008 03:35

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半导体技术

【IEDM】日立等利用薄膜硅的发光元件确认光放大现象

23.12.2008 03:35

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